IGBT及MOSFET隔离驱动为可靠驱动绝缘栅器件，目前已有很多成熟电路。当驱动信号与功率器件不需要隔离时，驱动电路的设计是比较简单的，目前也有了许多优秀的驱动集成电路。
2021-02-08 17:38
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-07-24 10:25
随着新的应用领域和市场的出现，近年来全球电力需求猛增，使得节能成为设备设计的重要方面。这使得高效逆变器电路和转换器必不可少，特别是对于需要高功率转换的电源和驱动器。
2022-07-27 10:58
对于IGBT/MOSFET驱动器电气过应力测试（EOS测试），设置了一个非常接近真实条件的电路。该电路包括适合功率范围为5 kW至20 kW的逆变器的电容器和电阻器。对于轴向型栅极电阻Rg，使用2 W额定功率金属电阻器。
2022-12-22 15:59
在做电力电子设计的朋友，经常会遇到一个选择题：IGBT和MOSFET，到底该用哪个?这两个器件都是“功率半导体”的代表选手，常出现在变频器、充电桩、电动汽车、电源模块等场景。但它们各自的“性格
2025-08-26 09:58 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
应用选择。如今电力电子的趋势是使用半导体开关器件来整流、切换和控制电压和电流。随着二极管、晶闸管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(I
2025-07-02 09:47 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
本文介绍了SID1183K产品亮点,功能框图,应用电路以及采用scaLE- iDriver SID1183K通用基板参考设计RDHP-1702主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图。
2018-07-22 07:09
