东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
MOSFET和IGBT是当
2010-12-31 10:31
MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
2023-11-03 14:53
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和
2023-12-15 15:25
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征
2023-02-22 15:52
IGBT和MOSFET在对饱和区的定义差别 IGBT和MOSFET是传输电力和控制电流的重要电子器件。它们在许多电力电子应用中起着关键的作用。饱和区是
2024-02-18 14:35
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-
2023-02-08 13:43
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2023-08-25 10:07
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。
2023-02-10 09:41
