`1. 由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2. IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前
2018-08-27 20:50
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXY
2025-03-25 13:43
本帖最后由 24不可说 于 2018-10-10 08:23 编辑 MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同. 1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上
2017-04-15 15:48
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-I
2018-12-03 14:29
MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~1、由于
2021-06-16 09:21
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和
2018-11-28 14:25
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET
2012-03-16 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
IGBT MOSFET建模(电源4572)-该文档为利用Simplorer IGBT MOSFET建模仿真，simplorer为最近几年新出的仿真软件，模型具有比较准确
2021-07-26 13:35
三极管的组合，MOSFET存在高压时导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。另外，相似功率容量的
2021-03-02 13:47
