，SiC-MOSFET在25℃时的变动很小，在25℃环境下特性相近的产品，差距变大，温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。与IGBT的
2018-12-03 14:29
、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬
2018-08-27 20:50
(零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定
2025-03-25 13:43
和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或
2021-06-16 09:21
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗：除了IGBT的电压下
2017-04-15 15:48
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进
2023-02-08 13:43
MOSFET与IGBT的区别
2023-11-27 15:36
和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬
2019-03-06 06:30
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与
2017-12-21 09:07
MOSFET 或 IGBT导通开关损耗的主要因素，讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。 导通损耗 除了IGBT的
2020-06-28 15:16
