进一步利用。 （A） 图片由Bodo的电力系统公司提供 （B） 图片由Bodo的电力系统提供 图5.最大dv/dt限制为5V/ns的导通损耗比较（A：IGBT，B：SiC-
2023-02-21 16:36
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11
现有IGBT 型号为H20R1202 要设计他的驱动电路，在哪里找资料？或者有没有设计过IGBT驱动电路的，能分享吗？现在有一个驱动MOSFET 的电路，可以用在IGBT
2016-04-01 09:34
发生故障，仅仅是因为某些数字性溢出故障。 图1：超级结MOSFET (a)和IGBT (b)横截面，模型中包含嵌入式样品制程参数 图2：可从一个物理模型扩展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
2019-09-11 11:31
大功率MOSFET、IGBT怎么双脉冲测试，调门极电阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38
MOSFET几乎立即完全导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC
2023-02-22 16:34
谁能仔细阐述一下igbt是什么吗？
2019-08-22 15:20
IGBT的开关损耗有巨大的贡献。SiC MOSFET不存在这种称为尾电流的效应，并且可以以更少的能量损失完成关断。 结论 本文讨论的参数和特性揭示了电力电子设计的某些方面。当前和未来的电子设计，如电池
2023-02-24 15:03
IGBT的工作原理IGBT极性判断IGBT好坏的判断
2021-03-04 07:18
