区，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用
2012-07-25 09:49
标牌。 3、突形：在建筑物的墙面上突出，除了背面以外的整面或有两侧墙面的情况下，两侧都被利用为广告载体的标识标牌。例如三面翻标识牌。 4、地柱形：标记在地面的某些固定构造上的横形、竖形、立体形的
2017-10-17 15:18
`IGBT驱动电路 本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路，设计了一种基于光耦HCPL-316J的
2012-09-09 12:22
的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此
2021-09-09 08:27
电流能力，匹配IGBT驱动要求。 当HCPL-316J输出端VOUT输出为高电平时，推挽电路上管(T1)导通，下管(T2)截止， 三端稳压块LM7915输出端加在IGBT门极(VG1)上，
2008-10-21 09:38
( www.0755hz.cn )联合报道！这是我们公司现有产品的一个外形尺寸，有些外形相同，它的功率等级是不相同的。这一款是高铁动车系统中用的650伏的，同时也可以作为地铁、风电上的 330伏的IGBT，也
2012-09-17 19:22
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 11:53
IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向
2012-07-09 10:01
的耐固性，避免带来因dv/dt的误导通。缺点是电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰，使得栅极承受噪声能力小，易产生寄生振荡。 栅极电阻值大——充放电较慢，开关时间和开关损耗增大
2011-08-17 09:26
是非常快的，可以达到几十ns，一般情况下驱动推挽电路的上管开通速度越快，门极电阻越小，di/dt就会越大，因此尖峰也会越高。搞清楚机理后，大家就应该知道这个尖峰对IGBT是没有什么影响的，只是内部寄生
2021-04-26 21:33
