**VBsemi TP0202T-T1-E3-VB 详细参数说明:**- **型号:** TP0202T-T1-E3-VB- **丝印:** VB2290- **品牌:** VBsemi- **封装
2024-04-10 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
TN0201T-T1-E3-VB 是 VBsemi 公司生产的 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。以下是详细参数和应用简介:**详细参数:**- 封装类型:SOT23- 极性
2024-04-10 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 阈值电压(Vth):0.45~1V- 封装类型:SOT23应用简介:TN0200T-T1-E3-VB是一款N
2023-12-21 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
详细参数说明:- 产品型号:TP0101T-T1-E3-VB- 丝印:VB2290- 品牌:VBsemi- 封装:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 最大工作电压:-20V- 最大工作电流
2024-04-10 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: TP0610T-T1-E3-VB丝印: VB264K品牌: VBsemi参数:- 封装类型: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 最大承受电压: -60V- 最大电流
2024-04-10 16:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### AM3829P-T1-PF-VB 产品简介AM3829P-T1-PF-VB 是一款双P沟道MOSFET,采用SOT23-6封装技术。该器件设计用于功率管理和电源开关应用,结合了P沟道和N沟道
2024-11-29 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SK4147-T2B-AT-VB 产品简介2SK4147-T2B-AT-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。具有高漏极-源极电压和适中的导通电阻。适用于低功率应用,如
2024-11-01 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
2SJ209-T1B-A-VB 品牌:VBsemi 参数:SOT23;P—Channel沟道,-100V;-1.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2.5V
2025-08-07 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AM3925P-T1-PF-VB 型号的产品简介AM3925P-T1-PF-VB 是一款双P+P沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,封装在紧凑的SOT23-6封装中。它具有低导通电
2024-11-29 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详**型号:2SK1589-T1B-VB**2SK1589-T1B-VB 是一款低压单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。该器件设计用于低功率应用,能够在100V的低压
2024-07-17 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号