### 10N65ZL-TF1-T-VB 产品简介10N65ZL-TF1-T-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有650V的漏源极电压（VDS
2024-07-04 17:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi 6N65L-TN3-T-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压应用。这款MOSFET具有稳定的性能和高效率，非常适合需要
2024-11-18 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
来自微型电路的T2.5-6T-X65+是频率0.01-100兆赫、插入损耗0.18-2.71分贝、电流30mA、功率0.25W、返回损耗1.7-26.01分贝的巴伦。标签:插入,不平衡到
2023-08-21 13:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 10N65KL-TF3-T-VB 产品简介10N65KL-TF3-T-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高压（650V）和高电流（10A）特性。采
2024-07-04 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
来自微型电路的T1-6T-X65+是频率为0.015至300兆赫的巴伦,插入损耗0.12至1.24分贝,电流30mA,功率0.25瓦,返回损耗11.77至37.26分贝。标签:插入,不平衡到平衡
2023-08-21 14:26 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
来自微型电路的T16-6T-X65+是频率0.03至75兆赫的BALE,插入损耗0.49至2.98分贝,电流30mA,功率0.25瓦,返回损耗1.55至12.89分贝。标签:插入,不平衡
2023-08-21 14:13 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
来自微型电路的T4-6T-X65+是一个频率0.02至250兆赫的不对称,插入损耗0.26至2.30分贝,电流30马卡,功率0.25瓦,返回损耗3.08至23.39分贝。标签:插入,不平衡到平衡
2023-08-21 13:46 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**10N65T-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有650V 的漏极-源极电压（VDS），在正负30V 的栅极-源极电压
2024-07-04 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对10N65L-TF3-T-VB产品的详细介绍：### 产品简介：10N65L-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术制造，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS
2024-07-04 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、6N65L-TM3-T-VB产品简介6N65L-TM3-T-VB 是一款由VBsemi公司推出的单N沟道MOSFET，采用先进的超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。它具备高压
2024-11-18 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
