Gate，简称HKMG）工艺。HKMG工艺作为现代集成电路制造中的关键技术之一，对提升芯片性能、降低功耗具有重要意义。本文将详细介绍
2025-01-22 12:57 北京中科同志科技股份有限公司 企业号
以往，具备低漏电、高性能特性的先进制程工艺多用于逻辑芯片，特别是PC、服务器和智能手机用CPU，如今，这些工艺开始在以DRAM为代表的存储器中应用，再加上EUV等先进设备和工艺的“互通”，逻辑芯片和存储器的制程节点和
2022-11-17 11:10
随着集成电路工艺技术不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低
2024-01-19 10:01
SK海力士全球首次在移动端DRAM采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工艺，成功研发出了LPDDR5X（Low Power Double Data Rate 5X），并于近期
2022-11-11 10:41
该机构表示，目前已经在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。
2022-09-19 15:14
下图(a)中的沉积块状层是必需的，这是为了SEG可以生长在设计的区域。下图(c)显示了KOH硅刻蚀，这种刻蚀对＜111＞晶体硅具有高的选择性。
2023-08-25 09:50
芯片制造的重点永远是成本。从28nm HKMG工艺转换到14nm FinFET工艺，将会增加50%的成本，这个代价值得吗？虽然FinFET能实现令人印象深刻的性能数据。
2016-05-11 09:33
中芯国际是全球芯片代工行业中的四大厂商之一。然而，目前，中芯国际投入量产的最先进的制程工艺是28纳米PolySiON工艺。并且，中芯国际仍需对高端的28纳米HKMG工艺
2017-04-26 10:05
为了提高晶体管性能，45nm/28nm以后的先进技术节点采用了高介电常数栅介质及金属栅极（High-k Metal Gate，HKMG）工艺，在晶体管源漏结构制备完成后增加替代金属栅（Replacement Metal Gate,RMG）
2022-09-06 14:13
高介电常数栅电介质和金属栅极技术(以下简称HKMG)使摩尔定律在45/32纳米节点得以延续。目前的HKMG工艺有两种主流整合方案，分别是先栅极和后栅极。后栅极又称为可替换栅极(以下简称
2012-05-04 17:11
