开通造成桥臂短路； 通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲； 而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27
最大限度的提高GaN HEMT器件带来的好处直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一个关键优势是它们广泛的商业可用性，但是现在工程师们已经能够很容易的使用GaN
2019-07-16 00:27
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
GaN功率转换器件的文件，但它仅建立了测试这些器件的开关可靠性的方法。 硅MOSFET与氮化镓HEMT的开关特性。图片由富士通提供克莱斯勒，福特和通用汽车在1990年代成立了汽车电子协会（AEC），以
2020-09-23 10:46
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
我使用saber仿真mosfet的时候，感觉输出电压跟输入电压关系不大，好像跟门控电压关系更大，这样不合理，所以弄了个最简单的电路试一下，真的很奇怪，求教，谢谢。
2015-12-12 12:12
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34
开关管MOSFET的功耗分析MOSFET的损耗优化方法及其利弊关系
2020-12-23 06:51
几乎不发生改变，认为沟道是一个固定阻值的电阻区，则MOSFET的端电压和流经的电流之间呈线性关系。随着器件流经的电流增加，器件压降增加，沟道形状开始发生改变，且可看成是随压降变化的电阻，端电压和流经
2024-06-13 10:07
