开通造成桥臂短路； 通过优化 PCB 布局减小寄生电感能有效减小驱动振荡[3]，但在硬开关场合依旧存在较大电压过冲； 而且 GaN HEMT 的反向导通损耗往往高于同电压等级的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27
在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，Vgs（栅极-源极电压）和Vds（漏极-源极电压）之间的关系是理解MOSFET工作特性的关键。 一、基本定义 Vgs（栅极-源极电压） ：这是施加
2024-09-29 09:53
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11
和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；2. 当2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15
最大限度的提高GaN HEMT器件带来的好处直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一个关键优势是它们广泛的商业可用性，但是现在工程师们已经能够很容易的使用GaN
2019-07-16 00:27
报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06
使用RHEED density优化的MBE growth conditions, 生长高迁移率的GaAs/AlGaAs inverted-HEMT
2014-07-28 17:28
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21
