电子发烧友

型号：HDC <b class='flag-s-7'>HDR</b> 品牌：

SIMCOION HDC静电发生棒 HDR静电发生棒HDC型静电发生棒装配一个电阻，避免因意外静电火花造成机器控制系统故障。线缆出口可选水平式或垂直式。HDR型静电发生棒适合高速应用，每个单独的放电

2022-10-12 11:26 华朋联创 企业号

型号：MMDF2P02<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

Ω(@VGS=10V,VGS=20V)，阈值电压（Vth）为-1.5V。- 封装：SOP8**应用简介：**MMDF2P02HDR2G-VB可灵活应用于各种电路模

2024-03-22 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMDF3P03<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

(ON)）：35mΩ @ 10V- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）- 阈值电压（Vth）：-1.5V- 封装：SOP8应用简介：MMDF3P03HDR2G-VB是一款

2023-12-14 10:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMDF3N06<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

产品型号：MMDF3N06HDR2G-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：- 通道类型：2个N沟道- 额定电压：60V- 最大电流：6A- 开态电阻：27mΩ（在VGS=10V和VGS

2024-03-22 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMDF3N04<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

-源极导通电阻：27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：1.5V应用简介：MMDF3N04HDR2G-VB是一款双N沟道MOSFET，适用于各

2024-03-22 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMSF5N03<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

### 一、MMSF5N03HDR2G-VB 产品简介  MMSF5N03HDR2G-VB 是一款 **SOP8 封装的单 N-沟道 MOSFET**，采用 **Trench 技术

2025-09-05 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMSF4N01<b class='flag-s-7'>HDR</b>2-VB 品牌：微碧

### 一、MMSF4N01HDR2-VB 产品简介  MMSF4N01HDR2-VB 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**，采用 **SOP8 封装**，为需要高电流传输、高开关

2025-09-05 10:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMSF7N03<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

### 一、MMSF7N03HDR2G-VB 产品简介  MMSF7N03HDR2G-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**，采用 **SOP8** 封装，专为高效电源管理和负载

2025-09-05 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMDF2P03<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

VBsemi品牌的MMD2P03HDR2G-VB是一款SOP8封装的P沟道场效应晶体管。该器件具有2个P沟道，工作电压为-30V，最大漏极电流为-7A，导通电阻(RDS(ON))在10V和20V

2024-03-22 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MMSF5N02<b class='flag-s-7'>HDR</b>2G-VB 品牌：微碧

### 一、MMSF5N02HDR2G-VB 产品简介  MMSF5N02HDR2G-VB 是一款 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET，采用

2025-09-05 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号