### 一、MMSF5N03HDR2G-VB 产品简介 MMSF5N03HDR2G-VB 是一款 **SOP8 封装的单 N-沟道 MOSFET**,采用 **Trench 技术
2025-09-05 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MMSF7N03HDR2G-VB 产品简介 MMSF7N03HDR2G-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**,采用 **SOP8** 封装,专为高效电源管理和负载
2025-09-05 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
**MMDF2P02HDR2G-VB 详细参数说明:**- 丝印:VBA4338- 品牌:VBsemi- 参数:2个P—Channel沟道,支持-30V电压,电流特性为-7A,RDS(ON)为35m
2024-03-22 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MMSF4N01HDR2-VB 产品简介 MMSF4N01HDR2-VB 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**,采用 **SOP8 封装**,为需要高电流传输、高开关
2025-09-05 10:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MMSF5N02HDR2G-VB 产品简介 MMSF5N02HDR2G-VB 是一款 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用
2025-09-05 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:MMDF3P03HDR2G-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:- 类型:2个P沟道- 额定电压(Vds):-30V- 最大持续电流(Id):-7A- 导通电阻(RDS
2023-12-14 10:14 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号:MMDF3N06HDR2G-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数:- 通道类型:2个N沟道- 额定电压:60V- 最大电流:6A- 开态电阻:27mΩ(在VGS=10V和VGS
2024-03-22 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
品牌:VBsemi型号:MMDF3N04HDR2G-VB封装:SOP8丝印:VBA3638详细参数说明:- 通道类型:2个N沟道MOSFET- 额定工作电压:60V- 最大连续漏极电流:6A- 漏极
2024-03-22 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi品牌的MMD2P03HDR2G-VB是一款SOP8封装的P沟道场效应晶体管。该器件具有2个P沟道,工作电压为-30V,最大漏极电流为-7A,导通电阻(RDS(ON))在10V和20V
2024-03-22 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号