是一款采用LDMOS技术的射频功率晶体管,提供了出色的功率输出与效率,是高频射频功率放大器中的理想选择。产品详情BLS7G3135L-350P,11是一款专为中高
2024-10-09 10:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MGV075-11-H20MACOM 的 MGV075-11-H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 1.5 至 2.7、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-03-31 15:07 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MACOM 的 MGV075-11-H20 是电容为 0.18 pF、电容比为 1.5 至 2.7、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签:含铅
2022-09-16 15:12 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 11N50L-TF1-T-VB MOSFET 产品简介VBsemi的11N50L-TF1-T-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装技术。这种MOSFET在550V的漏源
2024-07-05 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
CLL3H0914L-700 L 波段内部预匹配 GaN-SiC HEMTCLL3H0914L-700 和 CLL3H0914LS-700 是 700 W
2024-02-29 17:54 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号