### 一、7N60H-VB TO263型号的产品简介7N60H-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET,适用于需要高电压和较高电流处理能力的应用。它采用Plannar技术制造,封装在TO
2024-11-20 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、840H-VB 产品简介840H-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有高电压承受能力和适中的导通电阻,在中等电压
2024-11-21 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7N65H-VB MOSFET 产品简介7N65H-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO263封装,适用于需要高电压和低功耗的电子设备应用。该器件具有高漏极电压、低导通电阻和优异
2024-11-21 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N06H1-VB TO263是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO-263封装。利用先进的Trench技术设计,该器件结合了高漏极电流处理能力和低导通电阻特性,适用于各种高功率
2024-11-13 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N04H2-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装形式为TO263。它具有低导通电阻、高漏源极电流承载能力和稳定的性能特性,适用于要求高功率密度
2024-11-12 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介:2N04H4-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高漏极电流特性。该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合,如电源管理、电机驱动
2024-07-11 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介:2N06H5-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有低导通电阻和高漏极电流特性。该器件适用于需要高功率和高效率的应用场合,如电源管理、电机驱动
2024-07-11 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N04H1-VB MOSFET产品简介4N04H1-VB是一款双N沟道MOSFET,采用TO263-7L封装,由VBsemi公司生产。它具有低导通电阻和高漏源电压特性,适合需要高功率处理
2024-11-12 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
:SD3.0/eMMC 5.0,SPI Nor/NAND Flash 视频: 解码:H.265 MP,H.264 BP,H.263,MPEG-1/2
2024-12-04 13:49 百杰科技 嵌入式主板 企业号