小信号增益值。AM020336SF-4H可以用在B类模式，以获得较高的效率。AM020336SF-4H模块具备内嵌的负电压控制器。 特征 网络带宽从175到325MHz 高输出功率，P1dB
2022-10-28 08:50
可靠，需要在解决方案中引入更优化的驱动产品。数明半导体最新推出的高欠压保护阈值的单通道高速低边门极驱动器 SiLM27511H 以其短延时、双输入、高欠压保护阈值和广泛的应用场景等优势，为用户提供了更安全可靠的功率器
2022-11-25 10:34
三星在技术上采用了最新的热压力传导性膜（TC NCF）技术，成功维持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致，满足了现有的HBM封装要求。
2024-02-27 16:37
Cinebench R20中，i7-11375H单核得分690分，比 i7-10750H 高46%，比 R7 4800HS 高43%。 IT之家曾报道，在CES 202
2021-01-22 09:45
IP2368H 是一款集成AFC/FCP/PD2.0/PD3.0等输入输出快充协议和同步升降压转换器的锂电池充放电管理芯片；IP2368H 的高集成度与丰富功能，只需一个电感实现同步降升压功能，在应用时仅需极少的外围
2024-02-01 17:41
，i7-11375H单核得分690分，比 i7-10750H 高46%，比 R7 4800HS 高43%。 IT之家曾报道，在CES 2021上，微星宣布Stealth
2021-01-22 09:41
瑞萨H3和高通8155对比分析 近年来，随着智能手机的快速普及，人们对处理器的性能也提出了更高要求。两款处理器——瑞萨H3和高通8155是市场上颇受欢迎的型号。瑞萨
2023-08-15 16:23
PIC18F2420/2520/4420/4520 器件提供多个中断源及一个中断优先级功能，可以给大多数中断源分配高优先级或者低优先级。高优先级中断向量地址为0008h，低优先级中断向量地址为0018
2023-07-14 14:38
在H桥电路中，高边和低边的概念描述了开关器件相对于负载或地的连接方式。这两个术语通常用于描述开关器件（如晶体管、MOSFET等）在电路中的位置以及它们如何控制电流流向。
2024-05-11 17:23
