### 一、2623GY-VB产品简介2623GY-VB是VBsemi公司推出的一款双P+P沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于低电压和低功率的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性,适用于
2024-07-10 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
描述 小功率STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC内核,工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元
2023-09-21 10:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号
### 产品简介**6925GY-VB** 是一款双P+P-沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装。该器件采用Trench技术,具有低阈值电压和低导通电阻,适合低电压驱动和电池供电系统中
2024-11-18 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介VBsemi的2604GY-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种低压、中压和高压应用。它具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力,内部电阻(RDS(ON))为30m
2024-05-20 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 2602GY-VB是一款N沟道MOSFET功率场效应管,具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻(RDS(ON))和低阈值电压(Vth)使其在各种应用中表
2024-05-20 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
STM32F103RCT6 - 高性能 ARM Cortex-M3 微控制器产品基本信息:STM32F103RCT6是由STMicroelectronics公司推出的32位ARM Cortex-M3
2024-04-30 10:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
产品简介:AP2606GY-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS
2024-05-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AP2605GY-VB** 是一款单P-沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装。该器件适用于中低功率应用,具有优秀的导通特性和稳定的性能,适合要求高效能转换和空间紧凑
2024-12-17 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
描述 小功率STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC内核,工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元
2023-11-28 15:53 深圳芯领航科技有限公司 企业号