GTO（Gate-Turn-OffThyristor）是门极可关断晶闸管的简称，他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流 使其关断，属于全控型器件。 门极可关断晶闸管是一种具有自关断能力和晶闸管特性的晶闸管。如果在阳极加正向电压时，门极加上正向触发电流，GTO就 导通。在导通的情况下，门极加上足够大的反向触发脉冲电流，GTO就由导通转为阻断。 它的一些性能虽然比绝缘栅双极晶体管、电力场效应管差，但其具有一般晶闸管的耐高压、电流
2023-02-23 09:46
GTO、GTR、MOSFET和IGBT四种晶体管有何优点和缺点？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率电子器件中，各有强项和弱点，本文着重阐述四种晶体管的
2023-10-19 17:01
GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
2017-06-05 17:01
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12
绝缘栅双极晶体管（IGBT) 基础知识绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点1986年投
2009-04-14 22:13
。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
实用晶闸管电路大全（SCR，MOSFET，GTR，IGBT应用指南）
2007-09-30 20:59
IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：1、脉冲触发型，例如晶闸管
2017-01-19 20:49
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14
