。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO
2012-10-24 08:02
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14
双极性晶体管与MOSFET对比分析哪个好？
2021-04-20 06:36
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优驱动电流波形图2为抗饱和电路。用它可使GTR处于准
2018-01-25 11:34
1、驱动电路最优化的基极驱动电流波形如图1所示。采用这种驱动波形，可加速GTR的开通过程，缩短关断时间，减小开关损耗。图1、反偏安全工作区图2、最优驱动电流波形图2为抗饱和电路。用它可使GTR处于准
2018-01-15 11:58
ide哪个版本好
2016-10-11 11:38
引言 随着电力半导体器件的发展[1-2]，已经出现了各种各样的全控型器件，最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR)、适用于中小功率场合但快速性较好的功率场效应晶体管(MOSFET)以及
2025-03-27 14:48
