• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • GTOGTRMOSFETIGBT的区别及应用

    GTO(Gate-Turn-OffThyristor)是门极可关断晶闸管的简称,他是晶闸管的一个衍生器件。但可以通过门极施加负的脉冲电流 使其关断,属于全控型器件。 门极可关断晶闸管是一种具有自

    2023-02-23 09:46

  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    ),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<GTR<IGBT<MOSFET 另外,设计电路中选择功

    2012-07-04 17:14

  • GTO ,GTR IGBT, MOSFET 频率范围分别为多少

    ),应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为:GTO<GTR<IGBT<MOSFET

    2012-07-06 15:56

  • GTO2

    GTO2 - Gate Drive Transformer - ice Components, Ins.

    2022-11-04 17:22

  • MOSFET IGBT

    本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................

    2013-03-01 08:23

  • IGBT的内部结构及特点

    场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET

    2021-11-16 07:16

  • MOSFET与晶体管或IGBT相比有何优点

    1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中;晶体管是一个流控流型的,要使集电极上的电流增大,基极上的电流就要增大,但是基极上的电流是无用的。IGB

    2021-10-29 08:28

  • IGBT的组成部分及优点介绍

    , 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流

    2021-09-09 08:29

  • GTO2940-12RP

    GTO2940-12RP - GTO Clamping Capacitors, Self-healing, Segmented - Vishay Siliconix

    2022-11-04 17:22

  • IGBT单管是什么

    )和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;

    2012-07-09 11:53