用。### AP2852GO-VB 参数说明- **封装类型**:TSSOP8- **配置**:双N+P-通道- **漏源极电压 (VDS)**:±30V- **栅极电
2024-12-17 14:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9924GO-VB 产品简介AP9924GO-VB是一款采用TSSOP8封装的多功能场效应管(MOSFET),具有共源N+N-沟道配置。它设计用于应对低压应用中的高电流需求,适合需要
2024-12-26 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
双通道控制的电路设计。### 9926GO-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TSSOP8- **配置**: 双N沟道共漏极- **漏源电压
2024-11-26 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9926GO-VB MOSFET 产品简介AP9926GO-VB 是一款具有共源极的双N+N沟道功率MOSFET,采用TSSOP8封装。该器件利用先进的Trench技术制造,具备优异的导
2024-12-26 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9924GO-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9924GO-VB 是一款双N沟道MOSFET,采用共源极配置(Common Drain),封装为TSSOP8。该器件具有低电阻
2024-11-26 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品概述:2851GO-VB2851GO-VB是一款双N+P沟道MOSFET,采用沟道技术,具有高效率和低功耗特性。它采用TSSOP8封装,适用于空间受限的应用场景。这款MOSFET具有低导
2024-07-11 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
合。### 5805NG-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO252- **器件配置**:单 N 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:40V- **栅极-源极
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:** 4425GO-VB **封装:** TSSOP8 **配置:** 单P沟道MOSFET **主要参数:**- 漏源电压 (VDS
2024-11-08 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: BSS123Q-7-VB丝印: VB1106K品牌: VBsemi封装: SOT23沟道类型: N—Channel最大电压(VDS): 100V最大电流(ID): 0.17A导通电阻(RDS
2024-01-02 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号