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型号：US<b class='flag-s-7'>5S</b>102/US<b class='flag-s-7'>5S</b>103/US<b class='flag-s-7'>5S</b>104 品牌：

US5S102/US5S103/US5S104是一款高性能、低偏斜时钟扇出缓冲器，此缓冲器可将一路单端输入分配到2路（US5S102）、3路（US

2021-11-15 11:34 南京极景微半导体有限公司 企业号

型号：ID<b class='flag-s-7'>5S</b>609 品牌：

芯朋微高压高低侧栅极电机驱动芯片- IS5S609  一、概述 ID5S609电机驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮

2025-03-17 11:09 东莞市中铭电子 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>S9S08AW48E5</b>VFDE 品牌：

S9S08AW48E5VFDE 产品概述 如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 S9S08AW48E5VFDE 是恩智浦

2025-02-10 07:37 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：AP9997<b class='flag-s-7'>GH</b>-VB 品牌：微碧

### AP9997GH-VB MOSFET 产品简介AP9997GH-VB 是一款单N沟道配置的高性能 MOSFET，采用TO252封装。它使用先进的沟槽技术，具有高电压耐受能力和低导通电阻，非常

2024-12-27 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9918<b class='flag-s-7'>GH</b>-VB 品牌：微碧

### AP9918GH-VB 产品简介AP9918GH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于需要高电流处理和低导通电阻的应用场合。它采用先进的Trench技术，具有优异的电气

2024-12-26 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9576<b class='flag-s-7'>GH</b>-VB 品牌：微碧

### AP9576GH-VB 产品简介AP9576GH-VB 是一款单P沟道功率MOSFET，采用TO252封装，适用于中低功率应用场合。该器件采用先进的沟槽技术设计，具有较低的导通电阻和良好的热

2024-12-25 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9469<b class='flag-s-7'>GH</b>-VB 品牌：微碧

### AP9469GH-VB 产品简介AP9469GH-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench技术，适合需要中高功率和高效率的功率管理和开关应用。该器件封装为TO252，具有

2024-12-25 10:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP3403<b class='flag-s-7'>GH</b>-VB 品牌：微碧

### AP3403GH-VB 产品简介AP3403GH-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用沟槽技术制造，封装在TO252包装中。它具有负向击穿电压和优异的导通特性，适用于需要负向电压和较高电流

2024-12-17 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：US<b class='flag-s-7'>5S</b>305/US<b class='flag-s-7'>5S</b>105/US<b class='flag-s-7'>5S</b>205 品牌：

概述US5S105一款高性能、低偏斜时钟扇出缓冲器，此缓冲器可将一路单端输入分配到5路低抖动LVCMOS时钟输出。上电后，输出默认状态为低。该产品管脚兼容Cypress CY2305。特性单端

2021-12-17 11:43 南京极景微半导体有限公司 企业号

型号：ID<b class='flag-s-7'>5S</b>606B 品牌：

芯朋微授权代理商大电流半桥电机驱动芯片-ID5S606B 一、概述ID5S606B是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT电机驱动芯片。其浮地通道能工作在600V

2025-03-13 17:25 东莞市中铭电子 企业号