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型号：HMC440QS16<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为

2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：OH02A1S 品牌：

OH02A1S型号简介      OH02A1S是WILLSEMI/OmniVision推出的一款医疗图像传感器，专为癌症诊断和治疗设计。该传感器能在单个

2024-08-05 09:24 立年电子科技 企业号

型号：HTPA80x64dR2L21.5/0.9 HiC[<b class='flag-s-7'>Ge</b>/S 品牌：

　   海曼HTPA80x64dR2L21.5/0.9 HiC[Ge/Si]是一款小尺寸、高性能、低成本的热电堆红外阵列，用于在 TO-8 外壳内进行热成像。　　由于采用数字 SPI 接口

2022-08-22 11:56 深圳市龙享科技 企业号

型号：SI47961A0<b class='flag-s-7'>GE</b>2AMR 品牌：

信号和稳定的调谐性能，适合用于汽车音响、便携式收音机等设备。目前可供数量为 2,300 个。 产品技术资料 型号 ：SI47961A0GE2AMR

2024-11-05 10:25 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：Si2338DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数  频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m

2023-10-31 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2324DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m

2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号