HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为
2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m
2023-10-31 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m
2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
工业以太网光纤交换机 产品型号：HTN200-2GS2GE-D2产品型号：HTN200-2GS4GE-D2 产品描述：HTN202-2GS2GE
2024-07-08 11:00 北京中科易联科技有限公司 企业号
HMC952ALP5GE是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为8至14 GHz。该放大器提供32 dB增益，+34.5 dBm
2022-12-28 17:30 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号 SI2323DDST1GE3 丝印 VB2355 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47m
2023-11-06 11:02 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17 微碧半导体VBsemi 企业号
根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号 SI3456DDV-T1-GE3-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** SI3456DDV-T1-GE3-VB**丝印：** VB7322
2023-12-16 10:29 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SI4401DDYT1GE3丝印 VBA2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 11A 导通电阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15 微碧半导体VBsemi 企业号
