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型号：HMC440QS16<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

HMC440QS16GE：高性能、宽带射频低噪声放大器HMC440QS16GE是一款高性能的宽带射频低噪声放大器(LNA)，具有出色的线性度、噪声性能和高增益。这款放大器由业界知名的制造商提供，专为

2024-02-16 17:44 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GE</b>3400-VB 品牌：微碧

**GE3400-VB 详细参数说明:**- 丝印: VB1330- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 沟道类型: N沟道- 额定电压(VDS): 30V- 最大电流(ID

2024-03-30 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GE</b>2301-VB 品牌：微碧

**详细参数说明：**- 产品型号: GE2301-VB- 品牌: VBsemi- 丝印: VB2290- 封装: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 最大耐压: -20V- 最大电流

2024-03-30 16:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GE</b>3407-VB 品牌：微碧

产品型号: GE3407-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi封装: SOT23**详细参数说明:**- 极性: P-Channel- 额定电压(Vds): -30V- 额定电流(Id

2024-03-30 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：Si2338DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 Si2338DST1GE3丝印 VB1330品牌 VBsemi参数  频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 6.5A RDS(ON) 30mΩ @ 10V，33m

2023-10-31 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2324DS-T1-<b class='flag-s-7'>GE</b>3-VB 品牌：微碧

型号 SI2324DS-T1-GE3丝印 VB1102M品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 N沟道MOSFET- 最大耐压 100V- 最大电流 2A- 导通电阻 246m

2023-10-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： HTN200-2GS2<b class='flag-s-7'>GE</b>-D2 HTN200-2GS4G 品牌：北京中科易联科技有限公司

工业以太网光纤交换机 产品型号：HTN200-2GS2GE-D2产品型号：HTN200-2GS4GE-D2 产品描述：HTN202-2GS2GE

2024-07-08 11:00 北京中科易联科技有限公司 企业号

型号：HMC952ALP5<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

 HMC952ALP5GE是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为8至14 GHz。该放大器提供32 dB增益，+34.5 dBm

2022-12-28 17:30 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：HMC952ALP5<b class='flag-s-7'>GE</b> 品牌：

HMC952ALP5GE是一款集成温度补偿片内功率检波器的四级GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作频率范围为8至14 GHz。该放大器提供32 dB增益，+34.5 dBm饱和输出功率

2022-04-05 14:14 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>GE</b>2302-VB 品牌：微碧

**VBsemi GE2302-VB****详细参数说明:**- 丝印: VB1240- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 类型: N—Channel沟道- 额定电压: 20V- 最大

2024-03-30 16:18 微碧半导体VBsemi 企业号