使用较低的Rds（on）可以降低传导损耗，而使用GaN可以减小芯片尺寸并降低动态损耗。当GaN与铝基异质结构结合时形成二维电子气体（2DEG）的能力导致了备受青睐的高电子迁移率晶体管（HEMT）
2023-11-06 09:39
氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.
2022-09-19 09:33
从 70 年代下半叶开始，电源管理应用的主导技术是基于 MOSFET(金属氧化物硅场效应晶体管)器件，在效率和成本降低方面不断取得进步和改进。然而，随着第三个千年的到来，新解决方案和对现有技术的改进
2022-08-09 09:26
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将
2024-01-09 18:06
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN
2025-05-15 15:28
碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿场强、高电子饱和漂移速率和高热导率等优异性能，使其在功率器件领域具有广泛的应用
2024-01-17 09:44
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压
2024-10-18 15:40
GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美（onsemi）新推出的i
2024-11-15 10:37
