硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro
2023-10-13 16:02
电压(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis衬底技术(QST®)硅基氮化镓(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首选技术，其主流最高工作电压范
2025-05-28 11:38 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能，减少浪费。金刚石上的G
2018-07-26 17:50
衬底材料和GaN之间纯在较大的晶格失配和热失配，外延层中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在较强电流崩塌效应，影响器件的性能发挥。
2023-06-14 14:00
南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。这项高新技术和成功产业化，获得了2015年度国家技术发明奖一等奖，硅
2016-05-11 16:38
该晶圆产品具备高晶体质量、高材料均匀性、高耐压与高可靠性等特点，同时实现材料有效寿命超过1百万小时，成功解决了困扰硅基GaN材料应用的技术难题，适用于中高压硅基GaN功
2018-01-04 15:36
本文讲了我们华林科纳研究了半导体衬底的光电效应，接触电位引起的腐蚀可以加速，光照度可以增加Pt/GaAs边界之间的接触电位，从而增强GaAs/溶液界面和Pt/溶液界面的极化，从而加速砷化镓的阳极溶解，基于这一原理，证明了光增强的电化学机制可以提高ECNL的效率。
2022-05-16 15:23
了一套简明的纳米压痕实验的组合，旨在评估衬底和外延层的脆性，并为半导体制造商提供反馈，以减少在制造过程中可能产生和扩展的潜在缺陷。
2025-05-16 17:26
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料，在上世纪90年代已经有了氮化镓的应用，多年来氮化镓已经成为全球半导体研究的热点，被称为第三代半导体，它具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率
2023-02-13 17:31
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断
2023-06-10 09:43
