随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护
2013-02-19 10:06
五、 LED静电防护技术 1、一般静电防护的基本思路： 1）从元器件设计方面，把静电保护设计到LED器件内，例如大功率LED，设计者在承载GaN
2013-02-20 09:25
计算机图形学研究和应用论文关于计算机图形学的发展及应用探究 【摘要】计算机图形学经过三十多年的发展，在计算机艺术、计算机动画、自然景物仿真、
2021-08-31 08:05
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数
2014-01-24 16:08
日本研究员将纳米银颗粒技术用于触摸面板传感器 田中贵金属工业公司预定从2017年开始制造并销售触摸面板传感器。该触摸面板传感器使用了田中贵金属工业与日本产业技术综合研究所、东京大学、山形大学、日本
2016-04-26 18:30
性失效。突发性失效造成LED的永久性失效：短路。潜在性失效则可使LED的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般GaN基LED
2013-02-20 09:24
教授领导的HZB（德国亥姆霍兹国家研究中心联合会）青年研究组“Nano-SIPPE”正致力于开发这类纳米结构。计算机模拟是进行这类研究的一种重要工具。来自Nano-SI
2018-10-30 11:00
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34
