)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯
2010-04-22 11:32
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23
认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅
2019-07-31 07:54
随着国家对节能减排的日益重视，成都LED灯市场的逐步启动，飞利浦、富士康等大公司涉足LED灯行业，LED概念股普涨，使得LED技术成为大众热点，下面简要概述
2012-03-15 10:20
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的
2019-06-25 07:41
蚀刻，并总结了它们的优缺点。本研究通过展示 CMP 完成的 GaN 衬底的 ICP 干法蚀刻并讨论 CL 强度下降的原因来显示。在实验结果的基础上，总结了当前 CMP 和 ICP 干蚀刻需要
2021-07-07 10:26
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护
2013-02-19 10:06
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 纳米线制造和单光子发射器器件应用的蚀刻工艺编号：JFSJ-21-045作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11
纳米磁性液体基载液—白油表面张力的实验研究一、基本知识点二、实验仪器三、实验原理四、实验内容五、实验现象的受力分析1. 液体表面 &
2008-12-04 02:17
内的波长标准偏差标准为1.3nm，波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小，2英寸硅衬底LED大多数
2014-01-24 16:08
