目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基
2010-06-07 11:27
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基
2021-04-21 09:55
显示技术。作为全球硅衬底GaN基LED技术的领跑者，晶能光电最近也将目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37
日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驱动电路 丰田中央研究所和三垦电气分别利用以称为“NaFlux法”的结晶成长法制成的GaN底板，试制出
2010-03-04 09:08
GaN基Micro LED与其驱动（如HEMT、MOSFET等）的同质集成能充分发挥出GaN材料的优势，获得更快开关速度、更高耐温耐压能力以及更高效率的Micro
2023-07-07 12:41
科技半导体公司提出的GaN基复合衬底技术，结合企业自身的LED芯片技术，在大大提高LED出光效率的同时，还能大幅降低高端LED
2020-04-17 16:37
中的未来前景。 如今，电源管理设计工程师常常会问道： 现在应该从硅基功率开关转向GaN开关了吗？ 氮化镓(GaN)技术相比传统硅基 MOSFET 有许多优势。
2025-02-11 13:44
该晶圆产品具备高晶体质量、高材料均匀性、高耐压与高可靠性等特点，同时实现材料有效寿命超过1百万小时，成功解决了困扰硅基GaN材料应用的技术难题，适用于中高压硅基GaN功
2018-01-04 15:36
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅
2023-08-03 14:43
GaN功率器件的应用在消费类产品电源近年相当普及，大大提升了电源的效率和功率密度，其优点和用量递增，也逐渐延伸到服务器和工业电源领域。 安森美（onsemi）新推出的iGaN NCP5892x系列，集成eGaN与驱动电路一体化，让电源工程师在
2024-11-15 10:37
