请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23
4代固体照明光源的发光二极管(LED),具有节能、环保、长寿命、多色彩和小体积等诸多优点[1~3],但目前,GaN基LED
2010-04-22 11:32
随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护
2013-02-19 10:06
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41
栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳的压摆率控制和改进的器件保护。
2020-10-27 06:43
五、 LED静电防护技术 1、一般静电防护的基本思路： 1）从元器件设计方面，把静电保护设计到LED器件内，例如大功率LED，设计者在承载GaN
2013-02-20 09:25
电机设计中对于GaN HEMT的使用GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：较高的击穿电压，允许使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
对于GaN基的LED，其中p型GaN用的是ITO透明电极，但是ITO是n型的，怎么能形成欧姆接触呢？p型GaN的电极，一
2011-06-27 10:24
和高频场效应晶体管(FET)。WBG 材料以其优异的电学特性，如 GaN 和碳化硅(SiC) ，克服了硅基高频电子器件的局限性。更重要的是，WBG 半导体可用于可扩展的汽车电气系统和电动汽车(电动汽车
2022-06-15 11:43
