GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件，但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势，尤其是高频应用。
2023-07-11 10:42
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
2023-01-31 16:50
使用GaAs工艺设计过逻辑电路的人大概率都遇到过各种各样奇奇怪怪的收敛性问题，比如一个+5V供电的电路竟然出现了几十上百伏的节点电压；又比如一个反相器Transient仿真总是提示Timestep too small。
2024-05-06 09:09
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。
2025-03-06 14:37
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。 HMC232A的工作频率范围为100 MHz至12 GHz，在6 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗
2025-03-05 16:00
，选择的途径有多种，例如Si双极工艺、GaAs工艺、CMOS工艺等，在设计中，性能、价格是主要的参考依据。除此以外，工艺
2017-11-23 06:29
过去，对于高速的集成电路，多采用GaAs工艺来实现。但是随着深亚微米CMOS工艺的不断发展，栅长不断减小，现在0．35μm CMOS管的截止频率已经达到13．5 GHz，可以实现高速的集成电路。本
2012-08-07 15:07
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31
HMC986A是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1 GHz至50 GHz宽带频率范围内通常提供2.3 dB的低插入损耗和30 dB的高隔离度
2025-03-06 09:21
Macom的新型MASW-011102低功耗SPDT非反射型开关支持从直流到30 GHz的宽带操作，插入损耗低至1.8dB，30GHz时的高隔离度为40dB。它采用Macom专利的低栅极延迟GaAs工艺，可提供无与伦比的性能和快速开关速度，最低可达40ns。
2018-10-10 17:29
