HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。
2025-03-06 14:37
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。 HMC232A的工作频率范围为100 MHz至12 GHz，在6 GHz时提供优于1.5 dB的插入损耗
2025-03-05 16:00
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要好些，侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31
HMC986A是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1 GHz至50 GHz宽带频率范围内通常提供2.3 dB的低插入损耗和30 dB的高隔离度
2025-03-06 09:21
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。 该开关采用−5 V至−3 V负电源电压
2025-03-05 15:12
GaAs晶圆作为常用的一类晶圆，在半导体功率芯片和光电子芯片都有广泛应用。而如何处理好该类晶圆的清洗和进一步的钝化工作是生产工艺过程中需要关注的点。
2024-10-30 10:46
摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接，分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响，给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控
2023-07-15 14:01
为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器，它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法，包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57
根据GaAs光电阴极制备工艺的要求，我们设计了如图1所示的GaAs光电阴极制备测控系统原理框图。该测控系统由三大部分构成：超高真空激活系统、计算机和外围测控设备，其中超高真空激活系统是用于
2020-05-03 10:31
