GaAs工艺中也可以像传统的Si工艺一样集成无源和有源器件，但GaAs在某些方面会比Si工艺有优势，尤其是高频应用。
2023-07-11 10:42
根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理，设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路（ MMIC）。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真，研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。
2021-04-06 08:32
HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
2023-01-31 16:50
招聘职位：可靠性工程师任职要求：1.专科及以上学历，微电子、电子工程或相关专业，半年以上可靠性测试经验；2.熟悉GaAs工艺，熟悉军、民用主要射频可靠性测试。招聘方：某军民两用国企科技公司。联系方式：有意可致电131##4277@@4957，或+V：mgstanl
2020-06-16 14:10
使用GaAs工艺设计过逻辑电路的人大概率都遇到过各种各样奇奇怪怪的收敛性问题，比如一个+5V供电的电路竟然出现了几十上百伏的节点电压；又比如一个反相器Transient仿真总是提示Timestep too small。
2024-05-06 09:09
美国、中国、欧洲等有完善的销售服务团队。其业务分标准型号和芯片代工两种形式，领先的GaN、GaAs工艺逐渐成为全球领先的微波供应商。 其特色服务及产品包括：1、Foundry services为客户
2016-07-18 15:51
、欧洲等有完善的销售服务团队。其业务分标准型号和芯片代工两种形式，领先的GaN、GaAs工艺逐渐成为全球领先的微波供应商。 其特色服务及产品包括：1、Foundry services为客户提供提供
2016-07-18 15:56
的途径有多种，例如Si双极工艺、GaAs工艺、CMOS工艺等，在设计中，性能、价格是主要的参考依据。除此以外，工艺的成熟
2020-09-25 10:44
ATR5179 是一款采用 pHEMT GaAs 工艺制作的单刀双掷开关单芯片，芯片内部电路结构简单，该芯片的推荐工作频率为 20MHz-4GHz，开关芯片采用单电源供电控制，有非常低的电流功耗
2020-08-03 16:02
HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。
2025-03-06 14:37
