在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，
2018-10-07 15:37
当遇到片外的Flash无论如何用四线模式擦写读取都异常的时候（如下所示读出的内容始终是0xbb，也无法用四线模式擦除），可以尝试用如下方式，当然如果 ID都读不出来，那估计是芯片损坏了。这里测试的是 1Gb的
2023-03-06 13:44
在FreeRTOS环境下，如果外部擦写 Flash，禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码
2023-01-30 09:18
ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术，64K用户区间，支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写，充分利用32位ARMCPU性能优势，同时它的512字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。
2021-05-01 16:21
程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。本文将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。 FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEP
2017-10-13 16:34
电可擦除和编程只读存储器（EEPROM）是在绝大多数嵌入式应用中都会使用到的用于保存非易失性数据的关键器件，用于在程序运行期间保存数据。Flash 闪存（Flash Memory，简称为“Flash”）是一种非易失性
2018-03-16 13:55
FLASH是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意FLASH的
2020-01-25 16:16
单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写。
2016-01-22 18:13
FLASH芯片是应用非常广泛的存储材料，Flash芯片可进行可快速存储、擦除数据的存储物质。本文主要介绍了其中Flash
2018-03-30 11:42
