STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能
2021-08-05 06:46
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24
由于在我的项目中，需要实现对HCS12单片机的FLASH进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对FLASH的擦写操作是必须使用全局地址的。下图是擦除指令序列的说
2022-03-02 06:20
个人感觉对学习不是很有利。操作起来方便，但对底层接触的就比较少，想看他底层部分，嵌套太多层，看起来很累。所以我参考他们的寄存器版的程序，自己编写自己所需。但有些没有寄存器版本，例如flash的擦写部分就没有参考程序，所以我只能参考PE生成的程序进行移植。3、调试过
2022-01-26 07:53
关于EP100单片机Flash擦写函数全速运行时，系统跑飞解决方法在做EP100的CCP时，调用Flash擦写函数，程序下载进去，Command命令窗口一直提示 ILL
2022-01-26 06:14
内部Flash模拟EEPROM一、原因由于STM32F103系列的单片机内部Flash的擦写次数仅有10k次，如果遇到想要存储又多变，又需要掉电保存的数据，就显得有点捉
2022-01-26 06:59
Flash存储器简介 Intel于1988年首先开发出Nor Flash技术，Nor Flash 的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），
2023-02-17 14:06
是通常说的“先擦后写”。只不过NOR芯片只用擦写一个字，而NAND需要擦写整个块。其次，闪存擦写的次数都是有限的.当闪存
2013-04-02 23:02
Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。1. 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编
2011-06-02 09:25
Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F030R8T6，64K大小的
2021-08-10 06:24
