由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
2018-09-19 09:04
文章目录 一、简介 二、速度测试 最近比较忙，也一直没空发什么文章，这算是新年第一篇吧，正好最近收到了一个雷龙的flash芯片，先拿来玩一下吧。 有兴趣的小伙伴可以去雷龙官网找小姐姐领取一个免费试用
2024-06-14 16:20
CCS下test程序中，nandflash的测试程序报错：01 Testing NAND Flash... >> Error: Cannot find NAND Flash pages.
2018-07-27 07:19
文章目录 ** 一、简介** ** 二、速度测试** 最近比较忙，也一直没空发什么文章，这算是新年第一篇吧，正好最近收到了一个雷龙的flash芯片，先拿来玩一下吧。 有兴趣的小伙伴
2024-06-14 16:25
受NAND Flash的挤压，NOR Flash的市场占有率非常的低，但后续缺口却一直没有补上，因此NOR Flash供需变得极度的紧张，缺货状况恐怕到明年上半年都不会缓解。中芯长电采购NOR
2017-12-14 16:34
STM32使用HAL库读写内部FLASH测试环境：STM32F103RB20KBytes RAM128KBytes FLASH头文件：/////////////////////////////////////////
2021-08-23 08:57
VDNF64G08RS50MS4V25-III NAND FLASH存储器采用叠层型立体封装工艺进行封装，内部采用4片相同型号的塑封芯片（型号：MT29F16G08ABABAWP-AITX:B，温度
2020-09-15 09:30
` 本帖最后由 dong11 于 2018-4-10 15:49 编辑 本次针对创龙TL5728-EasyEVM的QSPI FLASH进行测试。在系统下查看QSPI FLASH分区
2018-04-10 15:40
SAM9261工控板运行NAND FLASH测试程序，提供WINCE下源代码
2016-03-28 15:03
计算机存储单位一般用B，KB、MB、GB、TB、PB、EB、ZB、YB、BB来表示，它们之间的关系是： 位 bit （比特）（Binary Digits）：存放一位二进制数，即 0 或 1，最小的存储单位。 字节 byte：8个二进制位为一个字节（B），最常用的单位。
2019-07-19 17:38
