NAND Flash作为非易失性存储技术的重要一员，其擦写次数是评估其性能和寿命的关键因素之一。以下将详细介绍NAND Flash的擦写次数，包括其定义、不同类型NAN
2024-07-29 17:18
语音芯片的型号有哪些？为什么强烈推荐使用flash型可擦写的芯片。这里我们简单描述一下如下常见类容： 1、他们都有什么特点？以及发展的历程简介 2、常见的语音芯片有哪些？ 3、为什么推荐使用flash型可以
2023-08-14 11:05
在FreeRTOS环境下，如果外部擦写 Flash，禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码
2023-01-30 09:18
ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术，64K用户区间，支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写，充分利用32位ARMCPU性能优势，同时它的512字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。
2021-05-01 16:21
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37
由于硬件成本原因，在许多嵌入式处理器中并没有集成EEPROM 模块，通常我们可以采用在片内FLASH存储器中保存非易失性数据的应用方式来达到使用要求。对一些普通的应用场合，这种使用方式可以满足要求
2020-04-09 09:23
当遇到片外的Flash无论如何用四线模式擦写读取都异常的时候（如下所示读出的内容始终是0xbb，也无法用四线模式擦除），可以尝试用如下方式，当然如果 ID都读不出来，那估计是芯片损坏了。这里测试的是 1Gb的Flash
2023-03-06 13:44
电可擦除和编程只读存储器（EEPROM）是在绝大多数嵌入式应用中都会使用到的用于保存非易失性数据的关键器件，用于在程序运行期间保存数据。Flash 闪存（Flash Memory，简称为“Flash”）是一种非易失性
2018-03-16 13:55
HK32MCU应用笔记（十七）| HK32F103xC/D/E-flash擦写应用及注意事项
2023-09-18 10:58
