在FreeRTOS环境下，如果外部擦写 Flash，禁用指令缓存以避免在多个任务中使用来自Flash 的分支预测和应用程序同步操作 Flash的缓存预加载指令。因为代码
2023-01-30 09:18
ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术，64K用户区间，支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写，充分利用32位ARMCPU性能优势，同时它的512字节小扇区结构，管理操作也更加灵活。
2021-05-01 16:21
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
2018-10-07 15:37
当遇到片外的Flash无论如何用四线模式擦写读取都异常的时候（如下所示读出的内容始终是0xbb，也无法用四线模式擦除），可以尝试用如下方式，当然如果 ID都读不出来，那估计是芯片损坏了。这里测试的是 1Gb的Flash
2023-03-06 13:44
电可擦除和编程只读存储器（EEPROM）是在绝大多数嵌入式应用中都会使用到的用于保存非易失性数据的关键器件，用于在程序运行期间保存数据。Flash 闪存（Flash Memory，简称为“Flash”）是一种非易失性
2018-03-16 13:55
fpga 上电时，默认是从 flash 的 0x00 地址开始读数据。如 UG470 文档 page144 描述
2022-07-15 09:05
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须
2018-09-18 14:47
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须
2018-09-19 08:32
如果Page Ability1的launchType属性值是singleton，那么不管显示多少次Page Ability1，在栈中永远只有1个Page Ability1实例。
2021-04-16 14:07
所谓的boot sect，是指的是Nor Flash和Nand Flash不太一样。Nand Flash从开始到最后，都是由同样大小的page所组成的。
2018-09-19 10:23
