STM32f0301. FLASH擦写时间2. FLASH擦写次数和数据保存年限只能擦写1000次，有点少。非必要，不要
2021-08-05 06:46
由于在我的项目中，需要实现对HCS12单片机的FLASH进行擦写，所以难免会遇到对全局地址的操作，因为对FLASH的擦写操作是必
2022-03-02 06:20
AT32F4系列FLASH擦写操作的地址偏移说明擦除或者编程flash 时，如果操作地址不在flash 绝对地址范围内，则操作会失败？
2023-10-23 08:24
个人感觉对学习不是很有利。操作起来方便，但对底层接触的就比较少，想看他底层部分，嵌套太多层，看起来很累。所以我参考他们的寄存器版的程序，自己编写自己所需。但有些没有寄存器版本，例如flash的擦写部分就没有参考程序，所以我只能参考PE生成的程序进行移植。3、调试过
2022-01-26 07:53
关于EP100单片机Flash擦写函数全速运行时，系统跑飞解决方法在做EP100的CCP时，调用Flash擦写函数，程序下载进去，Command命令窗口一直提示 ILL
2022-01-26 06:14
和 EEPROM 最大的不同在于以下两点：a) EEPROM可以按位（实际应用通常按字节）擦写，Flash需按页进行擦除。b) Flash的页擦除寿命周期大概是10000次，EEPROM的擦除寿命周期更优。针对
2020-08-15 14:23
量产效率的影响》，简要分析了 NOR Flash 的 Page Program 命令不同模式对于整体量产时间的影响，文章仅从理论计算角度做了分析，假定了 Flash 中所有 P
2021-12-21 07:30
STM32Flash读写之Flash调试技巧 文章目录先熟悉所用MCU的Flash存储大小以及扇区地址Flsah写之前为什么要先擦除Flash擦除长时间占用CPU实测
2021-07-22 07:34
orcad 对off page 添加页码.txt
2014-02-18 14:43
据线共用，对读写速度有一定影响；而NOR Flash闪存数据线和地址线分开，所以相对而言读写速度快一些。 NAND和NOR芯片的共性首先表现在向芯片中写数据必须先将芯片中对应的内容清空，然后再写入，也就
2013-04-02 23:02
