为了提高片上Flash在嵌入式应用中的读取速度，提出了一种基于预取和缓存原理的片上Flash加速控制器。该控制器包括预取缓存和高速缓存两种加速方案。其中预取缓存方案采用
2017-11-23 17:26
目前市面上NAND Flash的常规制程为2X~3Xnm，而江波龙采用的是16nm，更加先进。同时内置ECC（4bit/512Bytes）单元，省去了MCU做硬件或软件ECC的功能，对Host端硬件纠错能力要求降低。
2020-07-20 17:43
受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash
2017-02-07 17:34
N32A455系列基于Arm Cortex-M4内核，工作主频144MHz，支持浮点运算和DSP指令，内置8KB 指令Cache，支持Flash加速单元执行程序0等待。
2023-03-09 10:35
200MHz，Flash加速单元实现0-wait程序执行， 达到 250DMIPS 或 680Coremarks 的运算性能 ⚫ 内置存储器 – 最大 512KByte
2024-06-19 11:45 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
200MHz，Flash加速单元实现0-wait程序执行， 达到 250DMIPS 或 680Coremarks 的运算性能 ⚫ 内置存储器 – 最大 512KByt
2024-06-21 11:09 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
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2024-06-20 11:10 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
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2024-06-19 15:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
200MHz，Flash加速单元实现0-wait程序执行， 达到 250DMIPS 或 680Coremarks 的运算性能 ⚫ 内置存储器 – 最大 512KByt
2024-06-21 13:42 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
