FET开关和PIN开关是两种不同类型的电子开关，它们在电子电路中有着广泛的应用。这两种开关各有其特点和优势，适用于不同的应用场景。 1. 工作原理 FET开关（场效应晶体管开关） FET（Field
2024-10-09 15:51
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03
高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。
2022-11-11 09:13
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影响到最终产品性能的退化机制很重要。
2015-11-08 18:00
晶体管和FET给人的印象是具有信号放大的功能，即当输入信号通过晶体管或者FET后，输出信号被直接放大。
2023-10-21 10:23
FET T1 和 T2 是 BF245 N 沟道 FET 的型号。它可以用 NTE133 或 ECG312 代替。BA121变容二极管可以更换为ECG/NTE611。USW 代表“超短波”。
2022-06-13 15:25
从人类的角度来看，几代人过得很慢，在人们的记忆中，从“婴儿潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，现在奇怪的是“A”。我想他们只是用完了字母。然而，在半导体领域，代际发展更快，自 4 年 750 月推出 2020V SiC FET 以来，SiC FET 现已达到第 &
2023-02-17 09:20
与之前介绍的晶体管放大电路相同，各级FET放大电路之间的连接也必须通过电容连接，以构成CR的连接方式。此时，为保证栅极、源极和漏极间正确的电压关系，就需要偏置电路来提供栅极电压。
2017-04-20 14:36
对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效率设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于GaN FET的合适控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58
这是基于音频前置放大器的电路，具有非常低的噪声。该电路使用一个FET和一个BJT。要放大的音频信号使用电容C1和电阻R3耦合到FET Q1的基极。晶体管Q2的基极耦合到FET Q1的漏极。晶体管Q2
2023-04-02 14:56
