FDN338P
2023-03-29 17:26
FDN338P
2023-03-29 17:41
FDN338P - 20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET - Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
2022-11-04 17:22
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=1.6A P=1.1W SOT23
2023-03-28 15:07
SOT-23塑料封装MOSFET
2023-03-24 14:45
MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=1.6A RDS(ON)=115mΩ@4.5V SOT23-3
2023-03-24 14:48
FDN338 - P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor - Fairchild Semiconductor
2022-11-04 17:22
，CEM2301，APM2301， APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P KD2303 -Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻
2019-08-12 02:51
使用FDN360P这款MOS管用作开关，栅极和源极都是5V，这个mos管应该并没有打开，但是实际电路中量漏极有2.7V左右的电压，是什么原因导致的？
2019-09-13 16:26
;<p align="left">这款FDN359AN是N沟道逻辑电平MOSFET的生产采用飞兆半导体先进的PowerTrench进程，特别是
2010-04-15 09:51
