高功率 RF GaN on SiC HEMT 900 W,48 V,758 – 960 MHzGTRB097152FC 是一款 900 瓦 (P4dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 17:42 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
高功率 RF GaN on SiC HEMT 450 W,48 V,2110 – 2200 MHzGTRB226002FC 是一款 450 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 17:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 400 W;48V;3400 – 3600 兆赫GTRA364002FC 是一款 400 瓦 (PSAT) 碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管
2023-08-02 16:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
高功率 RF LDMOS FET 28 W;28V;1800 – 2200 兆赫 PTFC210202FC 集成了两个独立的 10 瓦 LDMOS FET,设计用于 2110 至 2170
2023-08-02 13:46 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号