翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
这门课，就比如存储器的分段和物理地址的形成，就特别可恶，段地址x10H等效于向左移四位，10H不是等于16D吗，怎么会是4呢，还有好多好多书上都是一笔带过，真是的，还是中科院编的，尼玛中科院的那些人
2013-10-08 14:53
现在研究生马上毕业，主要研究方向是数字IC设计方面，专业都是集成电路。现面临着找工作，现在华为海思和展讯的CPU和ASIC部门可选择去。请问诸位行家，哪个比较好，发表点看法嘛，非常感谢。...我
2015-09-09 20:47
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域，并实现千万量级市场化销售，未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44
dvd1478500169357149aichixihongshi500169357148770781327500169357147中科院500169357146
2015-08-05 14:45
高质量的干涉条纹，从而用于在光纤中刻写光纤光栅。 南京聚科光电生产的相位掩模板经过自主设计，并由在美国的国际顶级衍射光学元件生产实验室进行加工生产，产品已经在中科院上海光机所、中电科23所等多家单位取得了广泛成功的应用。
2016-12-22 20:06
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
如何使用普中科技51单片机进行1602液晶显示？
2021-10-26 07:56
体温计主要有华中科技大学研制的“慧眼：HW一05”人体温度红外热图像仪．其分辨率高达0．06℃；中科院上海物理研究所研制的红外测温仪和兰州大学合华技术应用开发中心开发的LHW—I型红外线测温仪。
2019-10-22 07:46
光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的７纳米工艺要到今年底才能量产，英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更
2018-06-13 14:40
