，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个节点已经的DUV光刻的极限，所以Intel、三星和台积电都会在7nm这个节点引入极紫外光（EUV
2020-07-07 14:22
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
把被摄物体的影像复制到底片上。 而ASML光刻机在做的光刻，我们称之为微影制程，原理是将高能雷射光穿过光罩（reticle），将光罩上的电路图形透过聚光镜（projectionlens），将影像缩小
2020-09-02 17:38
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体
2020-02-27 10:42
%，Lam Research为10亿美元，占台积电采购额的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术，这也是5nm制程必需的设备，但
2020-03-09 10:13
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
。光刻机的曝光波长也在由紫外谱g线 (436nm)→i线(365nm)→248nm→193nm→极紫外光（EUV）→X射线，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），光刻
2018-08-23 11:56
