翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
fft中采用同位运算为什么还要用两块ram，同位运算不是只有一个ram就好了吗？
2019-05-07 15:36
看原子哥的代码是用互补滤波，纸飞机四轴的代码也是，为什么不用DMP？难道是因为DMP输出数据只有200HZ，而原子哥的pid控制是500HZ，数据输出不能满足要求吗？如果是这样的话，200HZ的pid控制能把四轴控制好了吗？
2019-06-17 02:03
ertertret我知道了。我知道了。我来了。我来了。好了吗。好了吗。嗯。嗯。嗯。嗯。嗯。嗯。嗯。ertretret
2015-09-29 21:18
如图，请问这里面D3 D4两个二极管的作用是什么，不是直接接主芯片的这两个引脚就好了吗？
2019-01-14 09:45
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
请问一下，使用AD8363做射频功率计的时候，芯片手册上的PCB版图是像平常那样正常布线就好了吗，还是需要添加微带线之类的啊？才入射频方面，不是了解，各位朋友能帮忙解答一下吗？
2019-01-30 08:37
【不懂就问】电机驱动器，带着电机空转当不上电时，驱动器金属外壳（通过导线与地线排相连）与大地之间，用欧姆档测量是4Ω一旦上电使能，电力转动，就变成200Ω，怎么理解？是上电使能后，驱动器的地与外壳绝缘不好了吗？
2018-01-25 14:52
本人是电源小白，想自学一下开关电源知识，向大佬求解，如何从零开始设计一款dcdc电路，就是将芯片规格书里的简易电路增加自己想要的其他模块就好了吗？跪求解答！
2020-03-21 17:09
