ESD失效和EOS失效的区别 ESD（电静电放电）失效和EOS（电压过冲）失效
2023-12-20 11:37
ESD过电应力 目前，在电子元器件失效分析领域，我们发现ESDEOS的关注与日俱增。 上一期的分享，ESD与EOS知识速递我们着重介绍了ESD与EOS的概念与差异。本期内容主要涉及两者在实际情况中
2023-03-13 17:02
电路性能下降甚至系统瘫痪。因此，深入了解晶闸管的失效模式与机理，对于提高电路设计的可靠性具有重要意义。本文将从晶闸管的基本原理出发，详细探讨其失效模式与机理，并结合相关
2024-05-27 15:00
MOSFET的失效机理本文的关键要点・dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB，使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。
2023-02-13 09:30
保护器件过电应力失效机理和失效现象浅析
2023-12-14 17:06
失效模式：各种失效的现象及其表现的形式。失效机理：是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程。1、电阻器的主要
2017-10-11 06:11
或断裂；致命失效 ――绝缘子破裂；致命失效 ――绝缘子表面飞弧；部分功能失效 引起电容器失效的原因是多种多样的。各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同
2021-12-11 10:13
MOSFET等开关器件可能会受各种因素影响而失效。因此，不仅要准确了解产品的额定值和工作条件，还要全面考虑电路工作中的各种导致失效的因素。本系列文章将介绍MOSFET常见的失效
2023-03-20 09:31
半导体集成电路失效机理中除了与封装有关的失效机理以外，还有与应用有关的失效机理
2025-03-25 15:41
失效率是可靠性最重要的评价标准，所以研究IGBT的失效模式和机理对提高IGBT的可靠性有指导作用。
2023-04-20 10:27
