为了研究FS设计和性能之间的影响，本文对三种设计的开关曲线展开了分析。图6显示了基于三种不同设计的新的二极管与EC4相比的二极管恢复特性。对二极管来说，高VDC是最严酷的开关条件。这时二极管的软度达到最低，可能导致开关期间产生更严重的振荡和更高的Vpeak。
2019-02-20 14:56
项目“配7”，性能“配齐”
2019-03-09 16:40
本文介绍了针对电机驱动进行优化的全新1200 V IGBT和二极管技术。该IGBT结构基于全新微沟槽技术，与标准技术相比，可大幅减少静态损耗，并具备高可控性。而二极管因为优化了场截止设计，其振荡发生的可能性大幅降低。在功率模块中，IGBT和二极管的出色性能可带来更高的电流密度和更大的输出电流。不仅如此，通过将功率模块的最高结温提升到175 °C，输出电流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24
EMCON2019根据华南地区特点和技术需求的不同，与供应商和技术专家共同精心选题，在考虑技术前瞻性的同时，将EMC先进技术及成功的应用案例向广大用户推广。
2019-10-12 10:56
高性能CIPOS Maxi转模封装IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二极管Emcon 7技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片，该产品具有卓越
2024-11-22 14:28
