一、P4404EDG-VB 产品简介:P4404EDG-VB 是一款 P-Channel 沟道 MOSFET,品牌为 VBsemi。其特点包括 -40V 额定电压、-65A 额定电流,且在 VGS
2024-06-12 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: P5504EDG-VB丝印: VBE2412品牌: VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型: TO252- 沟道类型: P-Channel- 额定电压: -40V- 最大电流
2024-02-20 09:51 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: P2504EDG-VB丝印: VBE2412品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -40V- 额定电流: -65A- 导通电阻 (RDS
2024-02-03 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
P1604EDG-VB---**产品简介:**P1604EDG-VB 是 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。该器件具有优秀的性能特征,包括 -40V 的漏极-源极电压
2024-06-12 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号
P9006EDG (VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用简介
2023-12-08 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**P1504EDG-VB是VBsemi品牌推出的P-Channel沟道场效应管,具有-40V的耐压和-65A的耐电流能力。该器件在VGS=10V时,具有10mΩ的RDS(ON),并在
2024-06-12 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:P4004EDG-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管型号,采用TO252封装。该型号具有可靠的性能和稳定的工作特性,在-40V的漏极-源极电压下,能够承受高达-65A的漏极
2024-06-12 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号